光电子半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080004438.7

申请日：

2010-01-05

公开(公告)号：

CN102272952A

公开(公告)日：

2011-12-07

发明(设计)人：

亚历山大·贝雷斯马蒂亚斯·扎巴蒂尔

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3330 H01L3332 H01S5323

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;吴鹏章

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101715078881 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010800044387 申请公布日:20111207
2011-12-07	公开	公开
2012-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101174914308 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010800044387 申请日:20100105

共 50 条

[1]

光电子半导体器件 [P].

马丁·斯特拉斯伯格 ;

卢茨·赫佩尔 ;

马蒂亚斯·彼得 ;

乌尔里克·策恩德 ;

泷哲也 ;

安德烈亚斯·莱贝尔 ;

赖纳·布滕戴奇 ;

托马斯·鲍尔 .

中国专利 :CN102187484A ,2011-09-14

[2]

光电子半导体器件 [P].

吉多·韦斯 .

中国专利 :CN106796969B ,2017-05-31

[3]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

赖纳·温迪施 ;

彼得·布里克 .

德国专利 :CN120240012A ,2025-07-01

[4]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

洛伦佐·齐尼 ;

托比亚斯·迈耶 .

中国专利 :CN105190920A ,2015-12-23

[5]

光电子半导体器件 [P].

安部正幸 .

中国专利 :CN103367573B ,2013-10-23

[6]

光电子半导体器件 [P].

克里斯蒂安·莱雷尔 ;

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 .

中国专利 :CN107851644B ,2018-03-27

[7]

光电子半导体器件 [P].

迈克尔·宾德 ;

安德烈亚斯·吕克尔 ;

罗兰德·蔡塞尔 ;

托比亚斯·迈耶 ;

克斯廷·内韦林 ;

克里斯蒂娜·拉斐尔 ;

莫塞·黎克特 ;

赖纳·哈特曼 ;

克莱门斯·菲尔海利希 .

中国专利 :CN114631196A ,2022-06-14

[8]

光电子半导体器件 [P].

J·奥尔松 ;

L·萨米尔松 .

中国专利 :CN102099918A ,2011-06-15

[9]

光电子半导体器件 [P].

克劳斯·赫恩 .

中国专利 :CN103222079A ,2013-07-24

[10]

光电子半导体层序列和光电子半导体器件 [P].

丹尼尔·里希特 ;

贡纳尔·彼得森 .

德国专利 :CN117941083A ,2024-04-26

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