光电子半导体器件

被引：0

申请号：

CN202080076148.7

申请日：

2020-11-03

公开(公告)号：

CN114631196A

公开(公告)日：

2022-06-14

发明(设计)人：

迈克尔·宾德安德烈亚斯·吕克尔罗兰德·蔡塞尔托比亚斯·迈耶克斯廷·内韦林克里斯蒂娜·拉斐尔莫塞·黎克特赖纳·哈特曼克莱门斯·菲尔海利希

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

支娜;蒋静静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	公开	公开
2022-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20201103

共 50 条

[1]

光电子半导体器件 [P].

吉多·韦斯 .

中国专利 :CN106796969B ,2017-05-31

[2]

光电子半导体器件 [P].

克里斯蒂安·莱雷尔 ;

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 .

中国专利 :CN107851644B ,2018-03-27

[3]

光电子半导体器件 [P].

马丁·斯特拉斯伯格 ;

卢茨·赫佩尔 ;

马蒂亚斯·彼得 ;

乌尔里克·策恩德 ;

泷哲也 ;

安德烈亚斯·莱贝尔 ;

赖纳·布滕戴奇 ;

托马斯·鲍尔 .

中国专利 :CN102187484A ,2011-09-14

[4]

光电子半导体层序列和光电子半导体器件 [P].

丹尼尔·里希特 ;

贡纳尔·彼得森 .

德国专利 :CN117941083A ,2024-04-26

[5]

光电子半导体器件和具有光电子半导体器件的设备 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

安德烈亚斯·普洛斯尔 .

中国专利 :CN107112343A ,2017-08-29

[6]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

彼得鲁斯·松德格伦 .

中国专利 :CN111328431A ,2020-06-23

[7]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

赖纳·温迪施 ;

彼得·布里克 .

德国专利 :CN120240012A ,2025-07-01

[8]

光电子半导体器件 [P].

斯文·韦伯-拉布西尔伯 ;

斯特凡·格鲁贝尔 .

中国专利 :CN101548396B ,2009-09-30

[9]

光电子半导体器件 [P].

安部正幸 .

中国专利 :CN103367573B ,2013-10-23

[10]

光电子半导体器件 [P].

亚历山大·贝雷斯 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN102272952A ,2011-12-07

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