光电子半导体器件和具有光电子半导体器件的设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201580061728.8
申请日
2015-10-21
公开(公告)号
CN107112343A
公开(公告)日
2017-08-29
发明(设计)人
于尔根·莫斯布格尔 安德烈亚斯·普洛斯尔
申请人
申请人地址
德国雷根斯堡
IPC主分类号
H01L2715
IPC分类号
H01L3338
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
丁永凡;张春水
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
光电子半导体器件 [P]. 
吉多·韦斯 .
中国专利 :CN106796969B ,2017-05-31
[2]
光电子半导体层序列和光电子半导体器件 [P]. 
丹尼尔·里希特 ;
贡纳尔·彼得森 .
德国专利 :CN117941083A ,2024-04-26
[3]
光电子半导体器件 [P]. 
克里斯蒂安·莱雷尔 ;
科比尼安·佩尔茨尔迈尔 .
中国专利 :CN107851644B ,2018-03-27
[4]
光电子半导体器件 [P]. 
马丁·斯特拉斯伯格 ;
卢茨·赫佩尔 ;
马蒂亚斯·彼得 ;
乌尔里克·策恩德 ;
泷哲也 ;
安德烈亚斯·莱贝尔 ;
赖纳·布滕戴奇 ;
托马斯·鲍尔 .
中国专利 :CN102187484A ,2011-09-14
[5]
光电子半导体器件 [P]. 
迈克尔·宾德 ;
安德烈亚斯·吕克尔 ;
罗兰德·蔡塞尔 ;
托比亚斯·迈耶 ;
克斯廷·内韦林 ;
克里斯蒂娜·拉斐尔 ;
莫塞·黎克特 ;
赖纳·哈特曼 ;
克莱门斯·菲尔海利希 .
中国专利 :CN114631196A ,2022-06-14
[6]
光电子半导体器件 [P]. 
J·奥尔松 ;
L·萨米尔松 .
中国专利 :CN102099918A ,2011-06-15
[7]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P]. 
彼得鲁斯·松德格伦 .
中国专利 :CN111328431A ,2020-06-23
[8]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P]. 
赖纳·温迪施 ;
彼得·布里克 .
德国专利 :CN120240012A ,2025-07-01
[9]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P]. 
卢茨·赫佩尔 .
中国专利 :CN105637636A ,2016-06-01
[10]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P]. 
于尔根·奥弗 ;
马里安·卡利布 .
德国专利 :CN121080144A ,2025-12-05