一种亚微米级氮化硅中空微球及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910393391.0

申请日：

2019-05-13

公开(公告)号：

CN110078521B

公开(公告)日：

2019-08-02

发明(设计)人：

成来飞赵凯叶昉张立同

申请人：

申请人地址：

710072 陕西省西安市友谊西路127号

IPC主分类号：

C04B35587

IPC分类号：

C04B35626

代理机构：

西北工业大学专利中心 61204

代理人：

王鲜凯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	授权	授权
2019-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/587 申请日:20190513
2019-08-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种微米级球形氮化硅及其制备方法 [P].

王伟 ;

蒋学鑫 ;

王韶晖 ;

郭敬新 .

中国专利 :CN111252745A ,2020-06-09

[2]

一种亚微米级碳化物陶瓷中空微球及制备方法 [P].

成来飞 ;

叶昉 ;

赵凯 ;

崔雪峰 ;

张立同 .

中国专利 :CN113045318B ,2021-06-29

[3]

一种制备亚微米氮化硅的方法 [P].

韩凤兰 ;

吴澜尔 ;

江涌 .

中国专利 :CN102206082A ,2011-10-05

[4]

一种亚微米级氮化硅粉体的制备方法 [P].

杨阳 ;

彭昆鹏 ;

潘佳伟 ;

王龙 ;

周平 .

中国专利 :CN120383482A ,2025-07-29

[5]

一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用 [P].

梁帅帅 ;

贾和 ;

于海博 ;

祁斌 .

中国专利 :CN116496092B ,2024-04-19

[6]

一种亚微米级ZrC-SiC复相陶瓷微球及制备方法 [P].

成来飞 ;

叶昉 ;

赵凯 ;

崔雪峰 ;

张立同 .

中国专利 :CN114368970B ,2022-04-19

[7]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[8]

一种氮化硅微米管制造方法 [P].

汤自荣 ;

胡浩 ;

龙胡 ;

龚渤 ;

史铁林 .

中国专利 :CN105047920B ,2015-11-11

[9]

一种碳化硅中空微球的制备方法 [P].

潘凯 ;

张明慧 ;

王子雯 ;

陈轲 ;

赵彪 .

中国专利 :CN116395694B ,2024-05-28

[10]

一种氮化硅空心微球及其制备方法 [P].

李昊 ;

王洋 ;

高建伟 ;

袁文婕 ;

韩伟健 ;

赵彤 .

中国专利 :CN114349529A ,2022-04-15

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