双极晶体管、半导体器件和双极晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310222181.8

申请日：

2013-06-05

公开(公告)号：

CN104217945B

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L2973 H01L2908 H01L2910 H01L2706

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594989197 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2013102221818 申请日:20130605
2014-12-17	公开	公开
2017-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

双极晶体管、半导体器件及双极晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN104124154B ,2014-10-29

[2]

制造双极晶体管的方法和双极晶体管 [P].

埃弗利娜·格里德莱特 ;

托尼·范胡克 ;

约翰尼斯·唐克斯 ;

汉斯·莫腾斯 ;

布兰迪恩·杜利兹 .

中国专利 :CN102479704A ,2012-05-30

[3]

双极晶体管 [P].

西井雅晴 ;

栗原一夫 .

中国专利 :CN86100522A ,1986-09-10

[4]

双极晶体管、半导体装置以及双极晶体管的制造方法 [P].

佐佐木健次 .

中国专利 :CN104347406B ,2015-02-11

[5]

双极晶体管 [P].

托尼·范胡克 ;

维特·桑迪·恩 ;

皮特鲁斯·H·C·马涅 ;

蓬奇·伊沃 ;

迪克·克拉森 ;

马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 .

中国专利 :CN105428402A ,2016-03-23

[6]

半导体器件和绝缘栅双极晶体管 [P].

A.里格勒 .

中国专利 :CN105609487A ,2016-05-25

[7]

双极晶体管 [P].

A·高蒂尔 ;

P·舍瓦利耶 .

中国专利 :CN210723039U ,2020-06-09

[8]

双极晶体管 [P].

P·舍瓦利耶 ;

N·古塔尔德 .

:CN118824951A ,2024-10-22

[9]

绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件 [P].

C·P·桑道 ;

F·J·涅德诺斯塞德 ;

V·范特里克 .

中国专利 :CN108962749B ,2018-12-07

[10]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN109659359A ,2019-04-19

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