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用于存储器单元上的选择性字线升压的设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911303858.4
申请日
:
2012-09-12
公开(公告)号
:
CN111145805A
公开(公告)日
:
2020-05-12
发明(设计)人
:
马尼什·加尔吉
迈克尔·泰坦·潘
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
G11C808
IPC分类号
:
G11C812
G11C816
G11C11412
G11C11418
G11C11419
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
杨林勳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-06-05
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 8/08 申请日:20120912
2020-05-12
公开
公开
共 50 条
[1]
用于存储器单元上的选择性字线升压的设备
[P].
马尼什·加尔吉
论文数:
0
引用数:
0
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0
马尼什·加尔吉
;
迈克尔·泰坦·潘
论文数:
0
引用数:
0
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0
迈克尔·泰坦·潘
.
中国专利
:CN103797538A
,2014-05-14
[2]
存储器单元的选择性上电清除
[P].
沈震雷
论文数:
0
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
沈震雷
;
谢廷俊
论文数:
0
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0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
谢廷俊
;
周振明
论文数:
0
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0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
周振明
.
美国专利
:CN117751345A
,2024-03-22
[3]
选择性的存储器单元编程和擦除
[P].
董颖达
论文数:
0
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0
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董颖达
;
郭天健
论文数:
0
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郭天健
;
格里特·扬·赫明克
论文数:
0
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0
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0
格里特·扬·赫明克
.
中国专利
:CN102763166A
,2012-10-31
[4]
存储器的选择性抑制
[P].
王虹美
论文数:
0
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0
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0
王虹美
;
N·N·加杰拉
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0
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0
N·N·加杰拉
;
崔铭栋
论文数:
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0
崔铭栋
;
F·佩里兹
论文数:
0
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0
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0
F·佩里兹
.
中国专利
:CN114141297A
,2022-03-04
[5]
存储器的选择性抑制
[P].
王虹美
论文数:
0
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0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
王虹美
;
N·N·加杰拉
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0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
N·N·加杰拉
;
崔铭栋
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
崔铭栋
;
F·佩里兹
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0
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0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
F·佩里兹
.
美国专利
:CN114141297B
,2025-08-15
[6]
存储器阵列中的升压辅助存储器单元选择
[P].
崔铭栋
论文数:
0
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
崔铭栋
;
王虹美
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0
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
王虹美
;
H·吉杜图里
论文数:
0
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
H·吉杜图里
.
美国专利
:CN118056238A
,2024-05-17
[7]
存储器设备的选择性刷新
[P].
E·伊派克
论文数:
0
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0
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0
机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
E·伊派克
;
H·奥马尔
论文数:
0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
H·奥马尔
;
B·雷赫利克
论文数:
0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
B·雷赫利克
;
S·R·库安尔
论文数:
0
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0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
S·R·库安尔
;
B·达什蒂波尔
论文数:
0
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0
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0
机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
B·达什蒂波尔
;
M·H·罗
论文数:
0
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0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
M·H·罗
;
J·格玛
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0
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0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
J·格玛
;
M·西弗森
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0
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0
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0
机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
M·西弗森
;
G·帕特西拉拉斯
论文数:
0
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0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
G·帕特西拉拉斯
;
A·E·特纳
论文数:
0
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0
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0
机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
A·E·特纳
.
美国专利
:CN119032349A
,2024-11-26
[8]
非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法
[P].
F·E·C·迪塞格尼
论文数:
0
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0
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0
F·E·C·迪塞格尼
;
M·F·佩罗尼
论文数:
0
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0
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0
M·F·佩罗尼
;
C·托尔蒂
论文数:
0
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0
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0
C·托尔蒂
;
G·斯卡迪诺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
G·斯卡迪诺
.
中国专利
:CN112802524A
,2021-05-14
[9]
非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法
[P].
F·E·C·迪塞格尼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
F·E·C·迪塞格尼
;
M·F·佩罗尼
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
M·F·佩罗尼
;
C·托尔蒂
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
C·托尔蒂
;
G·斯卡迪诺
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
G·斯卡迪诺
.
:CN112802524B
,2025-06-06
[10]
利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法
[P].
A·谢瑞克
论文数:
0
引用数:
0
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0
A·谢瑞克
;
S·B·赫纳
论文数:
0
引用数:
0
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0
S·B·赫纳
;
M·克拉克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
M·克拉克
.
中国专利
:CN101720508A
,2010-06-02
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