用于存储器单元上的选择性字线升压的设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911303858.4
申请日
2012-09-12
公开(公告)号
CN111145805A
公开(公告)日
2020-05-12
发明(设计)人
马尼什·加尔吉 迈克尔·泰坦·潘
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
G11C808
IPC分类号
G11C812 G11C816 G11C11412 G11C11418 G11C11419
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
杨林勳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
用于存储器单元上的选择性字线升压的设备 [P]. 
马尼什·加尔吉 ;
迈克尔·泰坦·潘 .
中国专利 :CN103797538A ,2014-05-14
[2]
存储器单元的选择性上电清除 [P]. 
沈震雷 ;
谢廷俊 ;
周振明 .
美国专利 :CN117751345A ,2024-03-22
[3]
选择性的存储器单元编程和擦除 [P]. 
董颖达 ;
郭天健 ;
格里特·扬·赫明克 .
中国专利 :CN102763166A ,2012-10-31
[4]
存储器的选择性抑制 [P]. 
王虹美 ;
N·N·加杰拉 ;
崔铭栋 ;
F·佩里兹 .
中国专利 :CN114141297A ,2022-03-04
[5]
存储器的选择性抑制 [P]. 
王虹美 ;
N·N·加杰拉 ;
崔铭栋 ;
F·佩里兹 .
美国专利 :CN114141297B ,2025-08-15
[6]
存储器阵列中的升压辅助存储器单元选择 [P]. 
崔铭栋 ;
王虹美 ;
H·吉杜图里 .
美国专利 :CN118056238A ,2024-05-17
[7]
存储器设备的选择性刷新 [P]. 
E·伊派克 ;
H·奥马尔 ;
B·雷赫利克 ;
S·R·库安尔 ;
B·达什蒂波尔 ;
M·H·罗 ;
J·格玛 ;
M·西弗森 ;
G·帕特西拉拉斯 ;
A·E·特纳 .
美国专利 :CN119032349A ,2024-11-26
[8]
非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法 [P]. 
F·E·C·迪塞格尼 ;
M·F·佩罗尼 ;
C·托尔蒂 ;
G·斯卡迪诺 .
中国专利 :CN112802524A ,2021-05-14
[9]
非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法 [P]. 
F·E·C·迪塞格尼 ;
M·F·佩罗尼 ;
C·托尔蒂 ;
G·斯卡迪诺 .
:CN112802524B ,2025-06-06
[10]
利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法 [P]. 
A·谢瑞克 ;
S·B·赫纳 ;
M·克拉克 .
中国专利 :CN101720508A ,2010-06-02