原子层淀积的含粘附层钽

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580021293.0

申请日：

2005-06-28

公开(公告)号：

CN1977373A

公开(公告)日：

2007-06-06

发明(设计)人：

S·W·约翰斯顿 K·斯普尔金 B·L·彼得森

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

曾祥夌;梁永

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-06	公开	公开
2007-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-10-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705877725 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2005800212930 申请公布日:20070606

共 50 条

[1]

利用原子层淀积工艺形成导电层的方法 [P].

姜尚范 ;

蔡允淑 ;

朴昌洙 ;

李相忍 .

中国专利 :CN1221979A ,1999-07-07

[2]

原子层淀积设备和装载方法 [P].

S·林德弗斯 ;

J·A·K-A·鲍蒂艾南 .

中国专利 :CN102112655A ,2011-06-29

[3]

利用原子层淀积形成薄膜的方法 [P].

金营宽 ;

朴泳旭 ;

李承换 .

中国专利 :CN1389910A ,2003-01-08

[4]

用于原子层淀积的气体输送装置 [P].

陈岭 ;

古文忠 ;

吴典晔 ;

仲华 ;

艾伦·奥耶 ;

诺尔曼·中岛 ;

张镁 .

中国专利 :CN1774525B ,2006-05-17

[5]

利用含硝酸盐的前体淀积原子层 [P].

斯蒂芬·M·盖茨 ;

德伯拉·A·纽梅尔 .

中国专利 :CN1260403C ,2001-05-02

[6]

氮化钽及双层的等离子体增强原子层淀积 [P].

金亨俊 ;

A·J·凯洛克 ;

S·M·罗斯纳戈尔 .

中国专利 :CN1652319A ,2005-08-10

[7]

氧化铝原子淀积层的新预处理方法 [P].

陈国庆 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN1767173A ,2006-05-03

[8]

双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备 [P].

雷卫武 .

中国专利 :CN2734774Y ,2005-10-19

[9]

一种复合材料原子层淀积反应器 [P].

王季陶 .

中国专利 :CN201459237U ,2010-05-12

[10]

一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法 [P].

吴东平 ;

孙清清 ;

张世理 .

中国专利 :CN102031501A ,2011-04-27

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