氧化铝原子淀积层的新预处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410067501.8

申请日：

2004-10-26

公开(公告)号：

CN1767173A

公开(公告)日：

2006-05-03

发明(设计)人：

陈国庆三重野文健

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L21314 C23C1630

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英;竺明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-04	授权	授权
2019-10-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20041026 授权公告日:20070704 终止日期:20181026
2006-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-03	公开	公开
2012-01-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101257315984 IPC(主分类):H01L 21/8242 专利号:ZL2004100675018 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号变更后权利人:201203 上海市张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111123

共 50 条

[1]

通过化学气相淀积产生的增强氧化铝层 [P].

萨卡里·鲁皮 .

中国专利 :CN1456703B ,2003-11-19

[2]

提高氧化铝原子层沉积速率的方法 [P].

杨淋淋 ;

邢中豪 ;

冯秦旭 ;

林建树 ;

梁金娥 ;

李宗旭 ;

张守龙 .

中国专利 :CN118116791A ,2024-05-31

[3]

利用原子层淀积形成薄膜的方法 [P].

金营宽 ;

朴泳旭 ;

李承换 .

中国专利 :CN1389910A ,2003-01-08

[4]

原子层淀积的含粘附层钽 [P].

S·W·约翰斯顿 ;

K·斯普尔金 ;

B·L·彼得森 .

中国专利 :CN1977373A ,2007-06-06

[5]

原子层淀积设备和装载方法 [P].

S·林德弗斯 ;

J·A·K-A·鲍蒂艾南 .

中国专利 :CN102112655A ,2011-06-29

[6]

氧化铝层的沉积 [P].

梅里哈·歌德·兰维尔 ;

纳格拉杰·尚卡尔 ;

卡普·斯里什·雷迪 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

中国专利 :CN114582709A ,2022-06-03

[7]

一种氧化铝载体的预处理方法 [P].

季洪海 ;

沈智奇 ;

凌凤香 ;

王少军 ;

杨卫亚 ;

王丽华 ;

郭长友 .

中国专利 :CN104549536A ,2015-04-29

[8]

利用原子层淀积工艺形成导电层的方法 [P].

姜尚范 ;

蔡允淑 ;

朴昌洙 ;

李相忍 .

中国专利 :CN1221979A ,1999-07-07

[9]

对氧化铝粉进行预处理的方法 [P].

何君勇 ;

许磊 ;

赵从兆 .

中国专利 :CN103897439A ,2014-07-02

[10]

用于原子层淀积的气体输送装置 [P].

陈岭 ;

古文忠 ;

吴典晔 ;

仲华 ;

艾伦·奥耶 ;

诺尔曼·中岛 ;

张镁 .

中国专利 :CN1774525B ,2006-05-17

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