利用原子层淀积形成薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02107879.3

申请日：

2002-03-26

公开(公告)号：

CN1389910A

公开(公告)日：

2003-01-08

发明(设计)人：

金营宽朴泳旭李承换

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜;谷惠敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-25	授权	授权
2004-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-01-08	公开	公开
2022-04-12	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20020326 授权公告日:20070425

共 50 条

[1]

利用原子层淀积工艺形成导电层的方法 [P].

姜尚范 ;

蔡允淑 ;

朴昌洙 ;

李相忍 .

中国专利 :CN1221979A ,1999-07-07

[2]

原子层淀积设备和装载方法 [P].

S·林德弗斯 ;

J·A·K-A·鲍蒂艾南 .

中国专利 :CN102112655A ,2011-06-29

[3]

原子层淀积的含粘附层钽 [P].

S·W·约翰斯顿 ;

K·斯普尔金 ;

B·L·彼得森 .

中国专利 :CN1977373A ,2007-06-06

[4]

利用含硝酸盐的前体淀积原子层 [P].

斯蒂芬·M·盖茨 ;

德伯拉·A·纽梅尔 .

中国专利 :CN1260403C ,2001-05-02

[5]

用于原子层淀积的气体输送装置 [P].

陈岭 ;

古文忠 ;

吴典晔 ;

仲华 ;

艾伦·奥耶 ;

诺尔曼·中岛 ;

张镁 .

中国专利 :CN1774525B ,2006-05-17

[6]

利用原子层沉积制备薄膜的方法 [P].

金荣宽 ;

李相忍 ;

朴昌洙 ;

李相旼 .

中国专利 :CN1200135C ,2000-02-16

[7]

双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备 [P].

雷卫武 .

中国专利 :CN2734774Y ,2005-10-19

[8]

氧化铝原子淀积层的新预处理方法 [P].

陈国庆 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN1767173A ,2006-05-03

[9]

一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法 [P].

吴东平 ;

孙清清 ;

张世理 .

中国专利 :CN102031501A ,2011-04-27

[10]

非晶铟镓锌氧化物薄膜的原子层淀积制备方法 [P].

丁士进 ;

崔兴美 ;

陈笋 .

中国专利 :CN102618843A ,2012-08-01

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