非晶铟镓锌氧化物薄膜的原子层淀积制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210079451.X

申请日：

2012-03-23

公开(公告)号：

CN102618843A

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

丁士进崔兴美陈笋

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C1644 H01L21205

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101356923850 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:201210079451X 申请日:20120323
2014-10-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101705821865 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:201210079451X 申请公布日:20120801
2012-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

孙荷静 ;

邱恒达 ;

周航 .

中国专利 :CN112018191A ,2020-12-01

[2]

一种铟镓锌氧化物半导体薄膜和铟镓锌氧化物TFT制备方法 [P].

方汉铿 ;

谢应涛 ;

蔡述澄 ;

欧阳世宏 ;

石强 .

中国专利 :CN103779425B ,2014-05-07

[3]

铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN107293493A ,2017-10-24

[4]

铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110438472A ,2019-11-12

[5]

氧化铟镓锌的原子层沉积 [P].

O·麦迪亚 ;

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

T·伊万诺瓦 ;

C·德泽拉 ;

V·沙尔玛 .

中国专利 :CN112687521A ,2021-04-20

[6]

一种非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管室温氢气传感器及一体化制备方法 [P].

段国韬 ;

黄子航 ;

谭彭伟 .

中国专利 :CN121027254A ,2025-11-28

[7]

一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法 [P].

田超 ;

孙红波 ;

王桂磊 ;

周俊 ;

平延磊 .

中国专利 :CN117448743A ,2024-01-26

[8]

一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法 [P].

冯金波 ;

邱慧 ;

郑在纹 ;

竹文坤 ;

何嵘 ;

李宸 ;

任俨 ;

林丹 ;

杨帆 ;

乐昊飏 .

中国专利 :CN112420519B ,2021-02-26

[9]

用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法 [P].

唐建石 ;

杨慧敏 ;

杜宜威 ;

李怡均 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119584568B ,2025-11-28

[10]

用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法 [P].

唐建石 ;

杨慧敏 ;

杜宜威 ;

李怡均 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119584568A ,2025-03-07

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