氧化铟镓锌的原子层沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011114615.9

申请日：

2020-10-16

公开(公告)号：

CN112687521A

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

O·麦迪亚 A·伊利贝里 M·吉文斯 T·伊万诺瓦 C·德泽拉 V·沙尔玛

申请人：

申请人地址：

荷兰，阿尔梅勒

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

王永伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化铟锗锌的原子层沉积 [P].

O·麦迪亚 ;

A·伊利贝里 ;

G·A·维尼 ;

T·伊万诺瓦 ;

P·赛珀拉 ;

M·E·吉文斯 .

中国专利 :CN112680716A ,2021-04-20

[2]

氧化铟镓锌薄膜以及氧化铟镓锌晶体管的制备方法 [P].

李泽伦 .

中国专利 :CN119153314A ,2024-12-17

[3]

结晶尖晶石氧化铟镓锌沟道 [P].

A·拉贾戈帕拉 ;

S·E·西里斯 ;

李宜芳 ;

G·H·沃尔特斯 ;

A·M·苏维拉茨 ;

马远志 .

美国专利 :CN119603992A ,2025-03-11

[4]

非晶铟镓锌氧化物薄膜的原子层淀积制备方法 [P].

丁士进 ;

崔兴美 ;

陈笋 .

中国专利 :CN102618843A ,2012-08-01

[5]

一种改进原子层沉积技术中铟镓氧化物薄膜界面质量的方法 [P].

葛睿 ;

丁星伟 .

中国专利 :CN120026306A ,2025-05-23

[6]

原子层沉积方法 [P].

朴日兴 ;

黄喆周 ;

金德镐 ;

曹源泰 .

韩国专利 :CN119604962A ,2025-03-11

[7]

氧化还原原子层沉积 [P].

S·P·赞考斯基 ;

L·范豪克 .

中国专利 :CN110541160A ,2019-12-06

[8]

原子层沉积工艺中的氧化转化 [P].

道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ;

约瑟夫·R·阿贝尔 ;

巴特·简·范施拉芬迪克 .

中国专利 :CN112335019A ,2021-02-05

[9]

原子层沉积工艺中的氧化转化 [P].

道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ;

约瑟夫·R·阿贝尔 ;

巴特·简·范施拉芬迪克 .

美国专利 :CN112335019B ,2025-08-29

[10]

氧化膜的原子层沉积方法 [P].

何亚东 ;

刘力挽 ;

王伟哲 ;

稂耘 ;

王新胜 .

中国专利 :CN114836730A ,2022-08-02

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