原子层沉积工艺中的氧化转化

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980044136.3

申请日：

2019-06-27

公开(公告)号：

CN112335019A

公开(公告)日：

2021-02-05

发明(设计)人：

道格拉斯·沃尔特·阿格纽约瑟夫·R·阿贝尔巴特·简·范施拉芬迪克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213065 H05H146 H01J3732 H01L2167 C23C16455

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-05	公开	公开
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190627

共 50 条

[1]

原子层沉积工艺中的氧化转化 [P].

道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ;

约瑟夫·R·阿贝尔 ;

巴特·简·范施拉芬迪克 .

美国专利 :CN112335019B ,2025-08-29

[2]

流体喷射装置中的原子层沉积氧化层 [P].

陈之章 ;

R·A·普利斯 ;

M·S·沙拉维 .

中国专利 :CN110023088B ,2019-07-16

[3]

氧化还原原子层沉积 [P].

S·P·赞考斯基 ;

L·范豪克 .

中国专利 :CN110541160A ,2019-12-06

[4]

氧化铟镓锌的原子层沉积 [P].

O·麦迪亚 ;

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

T·伊万诺瓦 ;

C·德泽拉 ;

V·沙尔玛 .

中国专利 :CN112687521A ,2021-04-20

[5]

氧化铟锗锌的原子层沉积 [P].

O·麦迪亚 ;

A·伊利贝里 ;

G·A·维尼 ;

T·伊万诺瓦 ;

P·赛珀拉 ;

M·E·吉文斯 .

中国专利 :CN112680716A ,2021-04-20

[6]

原子层沉积工艺方法 [P].

周兴宝 ;

毛文瑞 ;

潘景伟 ;

廖宝臣 ;

黎微明 .

中国专利 :CN117051379B ,2025-10-03

[7]

通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积共形膜 [P].

米卡尔·达内克 ;

乔恩·亨利 ;

谢恩·唐 .

中国专利 :CN106057637A ,2016-10-26

[8]

原位原子层沉积工艺 [P].

S·W·朴 ;

X·崔 ;

S·斯里尼瓦杉 ;

R·丁德萨 ;

Z·姚 ;

L·于 ;

O·卢艾莱 ;

J·S·金 .

中国专利 :CN113906539A ,2022-01-07

[9]

原子层沉积方法和原子层沉积装置 [P].

佐藤英儿 ;

坂本仁志 .

日本专利 :CN120153123A ,2025-06-13

[10]

氧化膜的原子层沉积方法 [P].

何亚东 ;

刘力挽 ;

王伟哲 ;

稂耘 ;

王新胜 .

中国专利 :CN114836730A ,2022-08-02

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