原子层沉积工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310850249.0

申请日：

2023-07-11

公开(公告)号：

CN117051379B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

周兴宝毛文瑞潘景伟廖宝臣黎微明

申请人：

江苏微导纳米科技股份有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区长江南路27号

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/52

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

刘桂兰

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	授权	授权
2024-01-19	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):C23C 16/455变更事项:申请人变更前:江苏微导纳米科技股份有限公司变更后:江苏微导纳米科技股份有限公司变更事项:地址变更前:214111 江苏省无锡市新吴区漓江路11号变更后:214028 江苏省无锡市新吴区长江南路27号

共 50 条

[1]

原子层沉积设备 [P].

周兴宝 ;

毛文瑞 ;

潘景伟 ;

廖宝臣 ;

黎微明 .

中国专利 :CN117051378B ,2025-10-03

[2]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[3]

原子层沉积设备 [P].

王祥慧 .

中国专利 :CN105463407A ,2016-04-06

[4]

原子层沉积设备 [P].

王祥慧 .

中国专利 :CN204080104U ,2015-01-07

[5]

原子层沉积设备 [P].

孙锋 ;

黄周师 ;

何坤鹏 .

中国专利 :CN222631551U ,2025-03-18

[6]

原子层沉积设备 [P].

申雄澈 ;

崔圭政 ;

白敏 ;

杨澈勋 .

中国专利 :CN111549332A ,2020-08-18

[7]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

刘海博 ;

陈培杰 ;

罗丹 ;

张华敏 ;

胡汉彦 .

中国专利 :CN222008037U ,2024-11-15

[8]

原子层沉积设备及方法 [P].

陈志敏 ;

姚立柱 ;

戴渤鸿 ;

甘鹏 ;

都晓磊 ;

邓毅 ;

田金阳 ;

国政 ;

张丛 .

中国专利 :CN120924943A ,2025-11-11

[9]

原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备 [P].

陈蓉 ;

叶容利 ;

曹坤 ;

单斌 ;

王威振 .

中国专利 :CN119121187A ,2024-12-13

[10]

原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法 [P].

陈蓉 ;

曹坤 ;

严谨 ;

单斌 ;

李易诚 ;

胡嘉成 .

中国专利 :CN115198252B ,2024-04-23

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