原子层沉积设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202323668100.5

申请日：

2023-12-29

公开(公告)号：

CN222008037U

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

曹建伟朱凌锋刘海博陈培杰罗丹张华敏胡汉彦

申请人：

浙江晶盛机电股份有限公司浙江求是创芯半导体设备有限公司

申请人地址：

312300 浙江省绍兴市上虞区通江西路218号

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

代理机构：

杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329

代理人：

赵杰香

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省绍兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

新型原子层沉积设备 [P].

陈宇林 ;

王东君 .

中国专利 :CN202193841U ,2012-04-18

[2]

一种原子层沉积设备 [P].

初春 ;

齐平 ;

高超 .

中国专利 :CN106544646B ,2017-03-29

[3]

原子层沉积设备 [P].

范天庆 ;

屈芙蓉 ;

冯嘉恒 ;

夏洋 ;

高圣 ;

刘晓静 ;

李国庆 ;

陶晓俊 ;

沈云华 ;

明帅强 .

中国专利 :CN114107947A ,2022-03-01

[4]

原子层沉积设备 [P].

赵雷超 ;

史小平 ;

兰云峰 ;

秦海丰 ;

纪红 ;

张文强 .

中国专利 :CN109576674B ,2019-04-05

[5]

原子层沉积设备 [P].

周兴宝 ;

毛文瑞 ;

潘景伟 ;

廖宝臣 ;

黎微明 .

中国专利 :CN117051378B ,2025-10-03

[6]

原子层沉积设备 [P].

孙锋 ;

黄周师 ;

何坤鹏 .

中国专利 :CN222631551U ,2025-03-18

[7]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

陈培杰 ;

罗丹 ;

张华敏 ;

胡汉彦 .

中国专利 :CN222008035U ,2024-11-15

[8]

原子层沉积设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN116145109B ,2024-12-24

[9]

原子层沉积设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN220846266U ,2024-04-26

[10]

原子层沉积设备 [P].

全祐奭 ;

裵哲敏 ;

徐才喜 .

韩国专利 :CN221797661U ,2024-10-01

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