一种原子层沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510595136.6

申请日：

2015-09-18

公开(公告)号：

CN106544646B

公开(公告)日：

2017-03-29

发明(设计)人：

初春齐平高超

申请人：

申请人地址：

110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

代理机构：

沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229

代理人：

甄玉荃;陈福昌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	公开	公开
2021-03-23	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/455 变更事项:专利权人变更前:沈阳拓荆科技有限公司变更后:拓荆科技股份有限公司变更事项:地址变更前:110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层变更后:110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
2017-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101715364651 IPC(主分类):C23C 16/455 专利申请号:2015105951366 申请日:20150918
2019-02-01	授权	授权

共 50 条

[1]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

刘海博 ;

陈培杰 ;

罗丹 ;

张华敏 ;

胡汉彦 .

中国专利 :CN222008037U ,2024-11-15

[2]

原子层沉积设备 [P].

孙锋 ;

黄周师 ;

何坤鹏 .

中国专利 :CN222631551U ,2025-03-18

[3]

一种原子层沉积设备及沉积方法 [P].

韩子迦 ;

姜勇 .

中国专利 :CN121228203A ,2025-12-30

[4]

新型原子层沉积设备 [P].

陈宇林 ;

王东君 .

中国专利 :CN202193841U ,2012-04-18

[5]

原子层沉积设备 [P].

赵雷超 ;

史小平 ;

兰云峰 ;

秦海丰 ;

纪红 ;

张文强 .

中国专利 :CN109576674B ,2019-04-05

[6]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

陈培杰 ;

罗丹 ;

张华敏 ;

胡汉彦 .

中国专利 :CN222008035U ,2024-11-15

[7]

一种原子层沉积设备 [P].

邹云 ;

王丽玲 ;

方元 .

中国专利 :CN115305459B ,2022-11-08

[8]

一种原子层沉积设备 [P].

董亚斌 ;

夏洋 ;

李超波 ;

张阳 .

中国专利 :CN103103497B ,2013-05-15

[9]

一种原子层沉积设备 [P].

南炳允 ;

宋广伟 ;

刘载安 .

中国专利 :CN221608190U ,2024-08-27

[10]

一种原子层沉积设备 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208517526U ,2019-02-19

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