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一种原子层沉积设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210477229.5
申请日
:
2012-11-21
公开(公告)号
:
CN103103497B
公开(公告)日
:
2013-05-15
发明(设计)人
:
董亚斌
夏洋
李超波
张阳
申请人
:
申请人地址
:
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
IPC主分类号
:
C23C1644
IPC分类号
:
代理机构
:
北京华沛德权律师事务所 11302
代理人
:
刘丽君
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-05-15
公开
公开
2013-06-12
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101472132265 IPC(主分类):C23C 16/44 专利申请号:2012104772295 申请日:20121121
2016-02-03
授权
授权
共 50 条
[1]
原子层沉积设备
[P].
屈芙蓉
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屈芙蓉
;
刘传钦
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刘传钦
;
夏洋
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夏洋
;
李超波
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李超波
.
中国专利
:CN302072349S
,2012-09-12
[2]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
朱凌锋
;
刘海博
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
刘海博
;
陈培杰
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
陈培杰
;
罗丹
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
罗丹
;
张华敏
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
张华敏
;
胡汉彦
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
胡汉彦
.
中国专利
:CN222008037U
,2024-11-15
[3]
一种原子层沉积设备
[P].
初春
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初春
;
齐平
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齐平
;
高超
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高超
.
中国专利
:CN106544646B
,2017-03-29
[4]
一种原子层沉积装置及原子层沉积设备
[P].
李哲峰
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李哲峰
;
乌磊
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乌磊
.
中国专利
:CN212335291U
,2021-01-12
[5]
原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备
[P].
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机构:
陈蓉
;
叶容利
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
叶容利
;
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机构:
曹坤
;
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机构:
单斌
;
王威振
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
王威振
.
中国专利
:CN119121187A
,2024-12-13
[6]
原子层沉积方法和原子层沉积设备
[P].
古尔特基·S·桑赫
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古尔特基·S·桑赫
;
特鲁格·特里·多恩
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特鲁格·特里·多恩
.
中国专利
:CN100346448C
,2005-10-26
[7]
一种原子层沉积设备和原子层沉积监测系统
[P].
林俊成
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林俊成
;
黄致开
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黄致开
.
中国专利
:CN212770950U
,2021-03-23
[8]
原子层沉积设备
[P].
王祥慧
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王祥慧
.
中国专利
:CN105463407A
,2016-04-06
[9]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
胡汉彦
;
张华敏
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
;
罗丹
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
.
中国专利
:CN221608192U
,2024-08-27
[10]
原子层沉积设备
[P].
周友华
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周友华
;
庄国胜
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庄国胜
.
中国专利
:CN106978599A
,2017-07-25
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