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一种原子层沉积设备和原子层沉积监测系统
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202021704846.0
申请日
:
2020-08-14
公开(公告)号
:
CN212770950U
公开(公告)日
:
2021-03-23
发明(设计)人
:
林俊成
黄致开
申请人
:
申请人地址
:
361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区洪溪南路9号A栋102
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
C23C1652
代理机构
:
厦门律嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 35225
代理人
:
温洁;李增进
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-23
授权
授权
共 50 条
[1]
原子层沉积设备
[P].
林俊成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林俊成
;
郭大豪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭大豪
.
中国专利
:CN214088657U
,2021-08-31
[2]
原子层沉积方法和原子层沉积设备
[P].
古尔特基·S·桑赫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
古尔特基·S·桑赫
;
特鲁格·特里·多恩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
特鲁格·特里·多恩
.
中国专利
:CN100346448C
,2005-10-26
[3]
原子层沉积设备
[P].
林俊成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林俊成
;
易锦良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
易锦良
;
许雲齐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许雲齐
.
中国专利
:CN214400707U
,2021-10-15
[4]
原子层沉积设备
[P].
林俊成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林俊成
;
易锦良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
易锦良
;
许雲齐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许雲齐
;
姚信宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姚信宇
.
中国专利
:CN214400708U
,2021-10-15
[5]
一种原子层沉积装置及原子层沉积设备
[P].
李哲峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李哲峰
;
乌磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
乌磊
.
中国专利
:CN212335291U
,2021-01-12
[6]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
胡汉彦
;
张华敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
;
罗丹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
.
中国专利
:CN221608192U
,2024-08-27
[7]
原子层沉积设备
[P].
王良栋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
王良栋
;
陈金良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陈金良
;
宋维聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
宋维聪
;
李文涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
李文涛
.
中国专利
:CN222861631U
,2025-05-13
[8]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
胡汉彦
;
罗丹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
;
张华敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
.
中国专利
:CN221480068U
,2024-08-06
[9]
原子层沉积设备
[P].
王祥慧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王祥慧
.
中国专利
:CN204080104U
,2015-01-07
[10]
原子层沉积设备
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
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中国专利
:CN220846263U
,2024-04-26
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