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原子层沉积设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811587575.2
申请日
:
2018-12-25
公开(公告)号
:
CN109576674B
公开(公告)日
:
2019-04-05
发明(设计)人
:
赵雷超
史小平
兰云峰
秦海丰
纪红
张文强
申请人
:
申请人地址
:
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
C23C16448
C23C1634
C23C1644
C23C1652
代理机构
:
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人
:
蔡纯;张靖琳
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-07-13
授权
授权
2019-04-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20181225
2019-04-05
公开
公开
共 50 条
[1]
原子层沉积设备
[P].
孙锋
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0
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机构:
江苏先导微电子科技有限公司
江苏先导微电子科技有限公司
孙锋
;
黄周师
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机构:
江苏先导微电子科技有限公司
江苏先导微电子科技有限公司
黄周师
;
何坤鹏
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机构:
江苏先导微电子科技有限公司
江苏先导微电子科技有限公司
何坤鹏
.
中国专利
:CN222631551U
,2025-03-18
[2]
原子层沉积设备
[P].
维罗·鲁道夫·茨尔曼斯
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维罗·鲁道夫·茨尔曼斯
;
马丁·迪南特·比克尔
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马丁·迪南特·比克尔
;
厄恩斯特·杜勒麦格
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厄恩斯特·杜勒麦格
;
吉多·利耶斯特
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吉多·利耶斯特
.
中国专利
:CN107208267A
,2017-09-26
[3]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
陈培杰
;
罗丹
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
罗丹
;
张华敏
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
张华敏
;
胡汉彦
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
胡汉彦
.
中国专利
:CN222008035U
,2024-11-15
[4]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
朱凌锋
;
刘海博
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
刘海博
;
陈培杰
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
陈培杰
;
罗丹
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
罗丹
;
张华敏
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
张华敏
;
胡汉彦
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
胡汉彦
.
中国专利
:CN222008037U
,2024-11-15
[5]
新型原子层沉积设备
[P].
陈宇林
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陈宇林
;
王东君
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王东君
.
中国专利
:CN202193841U
,2012-04-18
[6]
原子层沉积方法和原子层沉积设备
[P].
古尔特基·S·桑赫
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古尔特基·S·桑赫
;
特鲁格·特里·多恩
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特鲁格·特里·多恩
.
中国专利
:CN100346448C
,2005-10-26
[7]
原子层沉积设备
[P].
王祥慧
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王祥慧
.
中国专利
:CN105463407A
,2016-04-06
[8]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
胡汉彦
;
张华敏
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
;
罗丹
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
.
中国专利
:CN221608192U
,2024-08-27
[9]
原子层沉积设备
[P].
周友华
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周友华
;
庄国胜
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庄国胜
.
中国专利
:CN106978599A
,2017-07-25
[10]
原子层沉积设备
[P].
杭天华
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杭天华
.
中国专利
:CN304842776S
,2018-10-09
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