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原子层沉积设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010886205.X
申请日
:
2020-08-28
公开(公告)号
:
CN114107947A
公开(公告)日
:
2022-03-01
发明(设计)人
:
范天庆
屈芙蓉
冯嘉恒
夏洋
高圣
刘晓静
李国庆
陶晓俊
沈云华
明帅强
申请人
:
申请人地址
:
215347 江苏省苏州市昆山市苇城南路1699号工研院综合大楼7层
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
C23C1656
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
薛娇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-18
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20200828
2022-03-01
公开
公开
共 50 条
[1]
原子层沉积设备
[P].
请求不公布姓名
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机构:
深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
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深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
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深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
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深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN116145109B
,2024-12-24
[2]
原子层沉积设备
[P].
申雄澈
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申雄澈
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崔圭政
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崔圭政
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白敏
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白敏
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杨澈勋
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杨澈勋
.
中国专利
:CN111549332A
,2020-08-18
[3]
原子层沉积设备
[P].
请求不公布姓名
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深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
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深圳市原速光电科技有限公司
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深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN220846266U
,2024-04-26
[4]
原子层沉积设备
[P].
全祐奭
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三星显示有限公司
三星显示有限公司
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裵哲敏
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三星显示有限公司
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徐才喜
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三星显示有限公司
徐才喜
.
韩国专利
:CN221797661U
,2024-10-01
[5]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
曹建伟
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朱凌锋
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浙江晶盛机电股份有限公司
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朱凌锋
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刘海博
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浙江晶盛机电股份有限公司
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刘海博
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陈培杰
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浙江晶盛机电股份有限公司
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罗丹
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张华敏
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浙江晶盛机电股份有限公司
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张华敏
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胡汉彦
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浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
胡汉彦
.
中国专利
:CN222008037U
,2024-11-15
[6]
原子层沉积方法和原子层沉积设备
[P].
古尔特基·S·桑赫
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古尔特基·S·桑赫
;
特鲁格·特里·多恩
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特鲁格·特里·多恩
.
中国专利
:CN100346448C
,2005-10-26
[7]
原子层沉积设备
[P].
王祥慧
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王祥慧
.
中国专利
:CN105463407A
,2016-04-06
[8]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
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朱凌锋
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
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朱凌锋
;
陈培杰
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
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陈培杰
;
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
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胡汉彦
;
张华敏
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
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张华敏
;
刘海博
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
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刘海博
;
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
.
中国专利
:CN221608192U
,2024-08-27
[9]
原子层沉积设备
[P].
周友华
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周友华
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庄国胜
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庄国胜
.
中国专利
:CN106978599A
,2017-07-25
[10]
原子层沉积设备
[P].
杭天华
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杭天华
.
中国专利
:CN304842776S
,2018-10-09
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