原子层沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310119725.1

申请日：

2023-01-18

公开(公告)号：

CN116145109B

公开(公告)日：

2024-12-24

发明(设计)人：

请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

申请人：

深圳市原速光电科技有限公司

申请人地址：

518101 广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区群辉路1号优创空间1号楼102

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

林明校

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-24	授权	授权

共 50 条

[1]

原子层沉积设备 [P].

范天庆 ;

屈芙蓉 ;

冯嘉恒 ;

夏洋 ;

高圣 ;

刘晓静 ;

李国庆 ;

陶晓俊 ;

沈云华 ;

明帅强 .

中国专利 :CN114107947A ,2022-03-01

[2]

原子层沉积设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN220846266U ,2024-04-26

[3]

原子层沉积设备 [P].

全祐奭 ;

裵哲敏 ;

徐才喜 .

韩国专利 :CN221797661U ,2024-10-01

[4]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

刘海博 ;

陈培杰 ;

罗丹 ;

张华敏 ;

胡汉彦 .

中国专利 :CN222008037U ,2024-11-15

[5]

原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P].

古尔特基·S·桑赫 ;

特鲁格·特里·多恩 .

中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26

[6]

原子层沉积设备 [P].

王祥慧 .

中国专利 :CN105463407A ,2016-04-06

[7]

原子层沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

陈培杰 ;

胡汉彦 ;

张华敏 ;

刘海博 ;

罗丹 .

中国专利 :CN221608192U ,2024-08-27

[8]

原子层沉积设备 [P].

周友华 ;

庄国胜 .

中国专利 :CN106978599A ,2017-07-25

[9]

原子层沉积设备 [P].

杭天华 .

中国专利 :CN304842776S ,2018-10-09

[10]

原子层沉积设备 [P].

孙文檠 ;

钟允升 ;

蓝崇文 .

中国专利 :CN101736317A ,2010-06-16

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