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原子层沉积方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380054935.5
申请日：
2023-07-26
公开(公告)号：
CN119604962A
公开(公告)日：
2025-03-11
发明(设计)人：
朴日兴 黄喆周 金德镐 曹源泰
申请人：
周星工程股份有限公司
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H10D30/01 C23C16/40 C23C16/455
代理机构：
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327
代理人：
王伟;李琳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-11 公开 公开
2025-08-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20230726
共 50 条
[1]
原子层沉积方法以及原子层沉积系统 [P]. 
邵大立 ;
史皓然 ;
齐彪 ;
李宇晗 ;
陆淋康 ;
刘子婵 ;
马敬忠 .
中国专利 :CN117265510B ,2024-02-27
[2]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[3]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[4]
原子层沉积方法和原子层沉积设备 [P]. 
古尔特基·S·桑赫 ;
特鲁格·特里·多恩 .
中国专利 :CN100346448C ,2005-10-26
[5]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31
[6]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31
[7]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15
[8]
原子层沉积方法和原子层沉积装置 [P]. 
佐藤英儿 ;
坂本仁志 .
日本专利 :CN120153123A ,2025-06-13
[9]
原子层沉积装置和原子层沉积方法 [P]. 
龟田直人 ;
三浦敏德 ;
花仓满 .
中国专利 :CN114286875A ,2022-04-05
[10]
原子层沉积装置和原子层沉积方法 [P]. 
长井博之 ;
桑山哲朗 .
中国专利 :CN104141117B ,2014-11-12
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