铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710418690.6

申请日：

2017-06-06

公开(公告)号：

CN107293493A

公开(公告)日：

2017-10-24

发明(设计)人：

李松杉

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

IPC主分类号：

H01L2134

IPC分类号：

H01L2908 H01L2924

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;王浩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/34 申请日:20170606
2017-10-24	公开	公开
2020-10-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/34 申请公布日:20171024

共 50 条

[1]

铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

孙荷静 ;

邱恒达 ;

周航 .

中国专利 :CN112018191A ,2020-12-01

[2]

铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110438472A ,2019-11-12

[3]

一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法 [P].

冯金波 ;

邱慧 ;

郑在纹 ;

竹文坤 ;

何嵘 ;

李宸 ;

任俨 ;

林丹 ;

杨帆 ;

乐昊飏 .

中国专利 :CN112420519B ,2021-02-26

[4]

氧化物薄膜晶体管结构的制作方法及氧化物薄膜晶体管结构 [P].

胡宇彤 ;

曾志远 ;

苏智昱 ;

李文辉 ;

吕晓文 ;

石龙强 ;

张合静 .

中国专利 :CN104037090A ,2014-09-10

[5]

用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法 [P].

唐建石 ;

杨慧敏 ;

杜宜威 ;

李怡均 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119584568B ,2025-11-28

[6]

用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法 [P].

唐建石 ;

杨慧敏 ;

杜宜威 ;

李怡均 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119584568A ,2025-03-07

[7]

一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管 [P].

李风浪 ;

李舒歆 .

中国专利 :CN106384748A ,2017-02-08

[8]

金属氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P].

李金明 .

中国专利 :CN106972063B ,2017-07-21

[9]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

钟德镇 ;

苏子芳 ;

祝伟鹏 .

中国专利 :CN115360141B ,2024-05-03

[10]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

钟德镇 ;

苏子芳 ;

祝伟鹏 .

中国专利 :CN115360141A ,2022-11-18

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