铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010798884.5

申请日：

2020-08-11

公开(公告)号：

CN112018191A

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

孙荷静邱恒达周航

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2924 H01L2134 C01G1500

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

刘泳麟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20200811
2022-09-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20201201
2020-12-01	公开	公开

共 50 条

[1]

铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN107293493A ,2017-10-24

[2]

一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法 [P].

冯金波 ;

邱慧 ;

郑在纹 ;

竹文坤 ;

何嵘 ;

李宸 ;

任俨 ;

林丹 ;

杨帆 ;

乐昊飏 .

中国专利 :CN112420519B ,2021-02-26

[3]

用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法 [P].

唐建石 ;

杨慧敏 ;

杜宜威 ;

李怡均 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119584568B ,2025-11-28

[4]

用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法 [P].

唐建石 ;

杨慧敏 ;

杜宜威 ;

李怡均 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119584568A ,2025-03-07

[5]

基于铟镓锌氧化物薄膜晶体管的四位全加器电路 [P].

章涵宇 ;

刘远 ;

史伟伟 ;

李俊辉 ;

熊晓明 ;

李星驰 .

中国专利 :CN210490840U ,2020-05-08

[6]

一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

陈荣盛 ;

刘远 ;

吴朝晖 ;

李斌 ;

李国元 .

中国专利 :CN107623040A ,2018-01-23

[7]

铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110438472A ,2019-11-12

[8]

氧化铟镓锌薄膜以及氧化铟镓锌晶体管的制备方法 [P].

李泽伦 .

中国专利 :CN119153314A ,2024-12-17

[9]

一种铟镓锌氧化物半导体薄膜和铟镓锌氧化物TFT制备方法 [P].

方汉铿 ;

谢应涛 ;

蔡述澄 ;

欧阳世宏 ;

石强 .

中国专利 :CN103779425B ,2014-05-07

[10]

用于氧化物薄膜晶体管的半导体层材料铟锌钛氧化物 [P].

姚绮君 ;

李曙新 ;

张群 .

中国专利 :CN102163625A ,2011-08-24

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