一种铟镓锌氧化物半导体薄膜和铟镓锌氧化物TFT制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410040761.X

申请日：

2014-01-27

公开(公告)号：

CN103779425B

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

方汉铿谢应涛蔡述澄欧阳世宏石强

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海旭诚知识产权代理有限公司 31220

代理人：

郑立

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	公开	公开
2020-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20140127 授权公告日:20160406 终止日期:20190127
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582693651 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201410040761X 申请日:20140127
2016-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

孙荷静 ;

邱恒达 ;

周航 .

中国专利 :CN112018191A ,2020-12-01

[2]

铟镓锌氧化物及其制法与应用 [P].

张育纶 ;

林弘巾 ;

林婉华 ;

苏百樱 ;

王圣棻 .

中国专利 :CN103373845A ,2013-10-30

[3]

蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件 [P].

康明伦 .

中国专利 :CN114592191A ,2022-06-07

[4]

一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法 [P].

田超 ;

孙红波 ;

王桂磊 ;

周俊 ;

平延磊 .

中国专利 :CN117448743A ,2024-01-26

[5]

一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法 [P].

李晨辉 ;

单静静 ;

刘江安 ;

吴甲民 ;

史玉升 ;

桂如峰 .

中国专利 :CN107055592B ,2017-08-18

[6]

非晶铟镓锌氧化物薄膜的原子层淀积制备方法 [P].

丁士进 ;

崔兴美 ;

陈笋 .

中国专利 :CN102618843A ,2012-08-01

[7]

铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN107293493A ,2017-10-24

[8]

一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张法碧 ;

曾子文 ;

周娟 ;

李海鸥 ;

孙堂友 ;

刘兴鹏 ;

王阳培华 ;

陈赞辉 ;

首美花 ;

谢仕锋 ;

李跃 ;

杨万里 .

中国专利 :CN119776773A ,2025-04-08

[9]

铟镓锌氧化物(IGZO)纳米粉体及其制备方法与应用 [P].

周力行 ;

周育贤 ;

杨智超 .

中国专利 :CN103130493B ,2013-06-05

[10]

一种铟镓锌氧化物纳米粉体加工装置 [P].

丘立安 ;

鲁波 ;

冯雪 .

中国专利 :CN222057379U ,2024-11-26

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