一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411877105.5

申请日：

2024-12-18

公开(公告)号：

CN119776773A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

张法碧曾子文周娟李海鸥孙堂友刘兴鹏王阳培华陈赞辉首美花谢仕锋李跃杨万里

申请人：

桂林电子科技大学中国电子科技集团公司第三十四研究所

申请人地址：

541000 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

IPC主分类号：

C23C14/28

IPC分类号：

C23C14/08 C23C14/02 H10F77/12

代理机构：

深圳市正未来知识产权代理有限公司 44998

代理人：

吴琼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广西壮族自治区桂林市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/28申请日:20241218
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铟镓锌氧化物半导体薄膜和铟镓锌氧化物TFT制备方法 [P].

方汉铿 ;

谢应涛 ;

蔡述澄 ;

欧阳世宏 ;

石强 .

中国专利 :CN103779425B ,2014-05-07

[2]

一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法 [P].

王丽 ;

苏雪琼 ;

孙睿 ;

包传辰 .

中国专利 :CN102332474A ,2012-01-25

[3]

一种非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

张杰 ;

吕建国 ;

李喜峰 ;

吴萍 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN102226265A ,2011-10-26

[4]

一种非晶态‑纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法 [P].

王丽 ;

苏雪琼 ;

李树峰 ;

李宬汉 ;

高东文 .

中国专利 :CN106634940A ,2017-05-10

[5]

用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

吴传佳 ;

叶志镇 ;

张杰 ;

吴萍 ;

陈凌翔 ;

江庆军 ;

孙汝杰 .

中国专利 :CN103219393A ,2013-07-24

[6]

一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法 [P].

马瑾 ;

杨帆 ;

栾彩娜 .

中国专利 :CN101262017A ,2008-09-10

[7]

一种氧化物薄膜衬底、氧化物薄膜及其制备方法 [P].

陈德杨 ;

尹小哲 ;

邓雄 ;

陈超 ;

孙菲 .

中国专利 :CN110408888A ,2019-11-05

[8]

铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

孙荷静 ;

邱恒达 ;

周航 .

中国专利 :CN112018191A ,2020-12-01

[9]

一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件 [P].

王丽 ;

苏雪琼 ;

包传辰 ;

孙睿 .

中国专利 :CN202268352U ,2012-06-06

[10]

钴氧化物基磁性氧化物薄膜及其制备方法和应用 [P].

金奎娟 ;

郭尔佳 ;

金桥 ;

林珊 ;

陈爽 ;

陈盛如 ;

祁明群 .

中国专利 :CN113061990A ,2021-07-02

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