一种非晶态‑纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610730480.6

申请日：

2016-08-25

公开(公告)号：

CN106634940A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

王丽苏雪琼李树峰李宬汉高东文

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C09K900

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

张立改

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724561673 IPC(主分类):C09K 9/00 专利申请号:2016107304806 申请日:20160825
2019-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于非晶态‑纳米晶复合结构的柔性电致变色器件及其制备方法 [P].

王丽 ;

苏雪琼 ;

李树峰 ;

李宬汉 ;

高东文 .

中国专利 :CN106249500A ,2016-12-21

[2]

一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张法碧 ;

曾子文 ;

周娟 ;

李海鸥 ;

孙堂友 ;

刘兴鹏 ;

王阳培华 ;

陈赞辉 ;

首美花 ;

谢仕锋 ;

李跃 ;

杨万里 .

中国专利 :CN119776773A ,2025-04-08

[3]

一种铌钨氧化物电致变色薄膜的制备方法及其应用 [P].

李文琴 ;

刘玉洁 ;

韩思旺 ;

吴子华 ;

崔永杰 ;

谢华清 ;

祝向荣 ;

董岚 ;

俞晓晓 ;

王元元 ;

李潇猛 ;

陈功城 ;

许诗琪 ;

张载鑫 .

中国专利 :CN119822648A ,2025-04-15

[4]

一种非晶态‑纳米晶复合结构的石墨烯掺杂透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

苏雪琼 ;

邱菊 ;

崔丽彬 ;

赵逸朔 ;

韩笑冬 ;

刘永才 .

中国专利 :CN107464599A ,2017-12-12

[5]

一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

任洋 ;

赵高扬 ;

王秋红 ;

高赟 .

中国专利 :CN105036564A ,2015-11-11

[6]

基于金属氧化物电致变色薄膜、制备方法及电致变色器件 [P].

周永南 ;

刘波 ;

徐燕峰 .

中国专利 :CN117706834A ,2024-03-15

[7]

一种钒铌双金属氧化物电致变色薄膜及其制备方法与应用 [P].

马董云 ;

王金敏 ;

杨婷 .

中国专利 :CN121165361A ,2025-12-19

[8]

一种柔性电致变色氧化物薄膜、器件及其制备方法 [P].

魏昂 ;

刘羽泽 ;

位威 ;

张倩 .

中国专利 :CN110488551A ,2019-11-22

[9]

一种非晶态/晶态三氧化钨核壳结构电致变色薄膜及其制备方法 [P].

涂江平 ;

周鼎 ;

王秀丽 ;

夏新辉 ;

谷长栋 .

中国专利 :CN105060733A ,2015-11-18

[10]

铌钨双金属氧化物电致变色纳米材料的制备方法和应用 [P].

蔡国发 .

中国专利 :CN113735459A ,2021-12-03

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