铜互连的半导体器件的制造方法及其结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610030628.1

申请日：

2006-08-31

公开(公告)号：

CN101136356A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

高建峰王晓艳刘艳吉汪钉崇

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101248515526 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2006100306281 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111115
2008-03-05	公开	公开
2009-02-04	授权	授权

共 50 条

[1]

铜互连的扩散阻挡层、半导体器件及其制造方法 [P].

张飞虎 ;

冷江华 ;

赵龙 .

中国专利 :CN104362139A ,2015-02-18

[2]

半导体器件及其局部互连结构的制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102376630B ,2012-03-14

[3]

铜互连结构的制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

王志高 ;

李泽逵 .

中国专利 :CN105870049A ,2016-08-17

[4]

铜互连结构的制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

王志高 .

中国专利 :CN105845620A ,2016-08-10

[5]

半导体器件中的互连结构及其制作方法 [P].

辛德·里德塞码·辛普森 .

中国专利 :CN1124647C ,1999-08-18

[6]

互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件 [P].

林瑀宏 ;

刘继文 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106531805A ,2017-03-22

[7]

具有金属互连的半导体器件及其制造方法 [P].

李汉春 .

中国专利 :CN101211822A ,2008-07-02

[8]

半导体器件的金属互连的制造方法 [P].

尹基准 .

中国专利 :CN101714520A ,2010-05-26

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

何伟业 .

中国专利 :CN102468266A ,2012-05-23

[10]

一种铜互连结构的制造方法及半导体结构 [P].

钱心嘉 .

中国专利 :CN120749079A ,2025-10-03

← 1 2 3 4 5 →