半导体器件中的互连结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98126098.5

申请日：

1998-12-28

公开(公告)号：

CN1124647C

公开(公告)日：

1999-08-18

发明(设计)人：

辛德·里德塞码·辛普森

申请人：

申请人地址：

美国伊里诺斯

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2352

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-05-09	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599307417 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL981260985 申请日:19981228 授权公告日:20031015 终止日期:20131228
2003-10-15	授权	授权
1999-08-18	公开	公开
2004-09-29	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前权利人:美国伊里诺斯变更后权利人:美国得克萨斯登记生效日:20040820 变更事项:专利权人变更前权利人:摩托罗拉公司变更后权利人:自由度半导体公司变更事项:地址

共 50 条

[1]

半导体互连结构的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102468224A ,2012-05-23

[2]

互连结构及其制作方法、半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN110880476A ,2020-03-13

[3]

互连结构及其制作方法、半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN111430295A ,2020-07-17

[4]

互连结构及其制作方法、半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN111430295B ,2024-10-15

[5]

半导体器件互连结构及其制作方法 [P].

郭景宗 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101587858A ,2009-11-25

[6]

铜互连结构的制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

王志高 ;

李泽逵 .

中国专利 :CN105870049A ,2016-08-17

[7]

铜互连结构的制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

王志高 .

中国专利 :CN105845620A ,2016-08-10

[8]

半导体器件互连结构的盖层及其制作方法 [P].

郭景宗 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101587857B ,2009-11-25

[9]

半导体互连结构及其制作方法 [P].

吴秉桓 .

中国专利 :CN111769073A ,2020-10-13

[10]

一种互连结构的制作方法、互连结构及半导体器件 [P].

高建峰 ;

李俊杰 ;

周娜 ;

贺晓彬 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

罗军 .

中国专利 :CN115588648A ,2023-01-10

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