互连结构及其制作方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811033489.7

申请日：

2018-09-05

公开(公告)号：

CN110880476A

公开(公告)日：

2020-03-13

发明(设计)人：

吴双双

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180905
2020-03-13	公开	公开

共 50 条

[1]

互连结构及半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN208655631U ,2019-03-26

[2]

互连结构及其制作方法、半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN111430295A ,2020-07-17

[3]

互连结构及其制作方法、半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN111430295B ,2024-10-15

[4]

半导体器件互连结构及其制作方法 [P].

郭景宗 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101587858A ,2009-11-25

[5]

半导体互连结构及其制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN104241194A ,2014-12-24

[6]

半导体互连结构的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102468224A ,2012-05-23

[7]

半导体器件互连结构的盖层及其制作方法 [P].

郭景宗 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101587857B ,2009-11-25

[8]

半导体互连结构及其制作方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN103972156A ,2014-08-06

[9]

半导体器件中的互连结构及其制作方法 [P].

辛德·里德塞码·辛普森 .

中国专利 :CN1124647C ,1999-08-18

[10]

互连结构及半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN209561401U ,2019-10-29

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