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半导体互连结构及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201310247932.1
申请日
:
2013-06-20
公开(公告)号
:
CN104241194A
公开(公告)日
:
2014-12-24
发明(设计)人
:
周鸣
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21768
IPC分类号
:
H01L23532
代理机构
:
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
:
吴贵明;张永明
法律状态
:
授权
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-10-27
授权
授权
2014-12-24
公开
公开
2015-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595683020 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013102479321 申请日:20130620
共 50 条
[1]
互连结构及其制作方法、半导体器件
[P].
吴双双
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴双双
.
中国专利
:CN110880476A
,2020-03-13
[2]
半导体互连结构及其制作方法
[P].
邓浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邓浩
.
中国专利
:CN103972156A
,2014-08-06
[3]
互连结构及其制作方法、半导体器件
[P].
高成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高成
.
中国专利
:CN111430295A
,2020-07-17
[4]
互连结构及其制作方法、半导体器件
[P].
高成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
高成
.
中国专利
:CN111430295B
,2024-10-15
[5]
半导体器件互连结构及其制作方法
[P].
郭景宗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭景宗
;
肖德元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
肖德元
.
中国专利
:CN101587858A
,2009-11-25
[6]
一种介电层及互连结构的制作方法、半导体器件
[P].
邓浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邓浩
.
中国专利
:CN106910710A
,2017-06-30
[7]
半导体互连结构的制作方法
[P].
周鸣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周鸣
.
中国专利
:CN104282620B
,2015-01-14
[8]
半导体互连结构的制作方法
[P].
周鸣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周鸣
.
中国专利
:CN102468224A
,2012-05-23
[9]
制作半导体互连结构的方法
[P].
孙武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙武
.
中国专利
:CN102148190A
,2011-08-10
[10]
半导体器件互连结构的盖层及其制作方法
[P].
郭景宗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭景宗
;
肖德元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
肖德元
.
中国专利
:CN101587857B
,2009-11-25
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