半导体器件互连结构的盖层及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810112502.8

申请日：

2008-05-23

公开(公告)号：

CN101587857B

公开(公告)日：

2009-11-25

发明(设计)人：

郭景宗肖德元

申请人：

申请人地址：

100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522 H01L23532 H01L23373

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20080523 授权公告日:20110323 终止日期:20190523
2010-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件互连结构及其制作方法 [P].

郭景宗 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101587858A ,2009-11-25

[2]

互连结构及其制作方法、半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN110880476A ,2020-03-13

[3]

互连结构及其制作方法、半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN111430295A ,2020-07-17

[4]

互连结构及其制作方法、半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN111430295B ,2024-10-15

[5]

半导体器件中的互连结构及其制作方法 [P].

辛德·里德塞码·辛普森 .

中国专利 :CN1124647C ,1999-08-18

[6]

一种互连结构的制作方法、互连结构及半导体器件 [P].

高建峰 ;

李俊杰 ;

周娜 ;

贺晓彬 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

罗军 .

中国专利 :CN115588648A ,2023-01-10

[7]

半导体互连结构及其制作方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN103972156A ,2014-08-06

[8]

半导体互连结构及其制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN104241194A ,2014-12-24

[9]

半导体互连结构的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN104282620B ,2015-01-14

[10]

互连结构及半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN208655631U ,2019-03-26

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