基于顺电介质的肖特基二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010964937.6

申请日：

2020-09-15

公开(公告)号：

CN112038417B

公开(公告)日：

2020-12-04

发明(设计)人：

冯倩徐周蕊马红叶胡志国于明扬张雅超胡壮壮封兆青蔡云匆

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L21329 H01L2906 H01L2924

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	公开	公开
2020-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20200915
2022-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直型肖特基二极管及其制作方法 [P].

冯倩 ;

徐通 ;

韩根全 ;

方立伟 ;

李翔 ;

邢翔宇 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106935661B ,2017-07-07

[2]

SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

李博 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘焕明 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102376779A ,2012-03-14

[3]

氮化镓肖特基二极管及其制作方法 [P].

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

李亦衡 ;

王东盛 ;

苗操 ;

魏鸿源 ;

严文胜 .

中国专利 :CN106952966B ,2017-07-14

[4]

高击穿电压氧化镓肖特基二极管及其制作方法 [P].

冯倩 ;

李翔 ;

韩根全 ;

黄璐 ;

方立伟 ;

邢翔宇 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106876484B ,2017-06-20

[5]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

柳志亨 .

中国专利 :CN102315281B ,2012-01-11

[6]

高击穿电压的肖特基二极管及其制作方法 [P].

冯倩 ;

张涛 ;

张进成 ;

周弘 ;

张春福 ;

胡壮壮 ;

封兆青 ;

蔡云匆 .

中国专利 :CN110164962B ,2019-08-23

[7]

基于双台阶斜面的肖特基二极管及其制作方法 [P].

冯倩 ;

胡志国 ;

于明扬 ;

马红叶 ;

徐周蕊 ;

张进成 ;

张春福 ;

张雅超 ;

田旭升 ;

张涛 ;

赵春勇 .

中国专利 :CN112038415A ,2020-12-04

[8]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109065605A ,2018-12-21

[9]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘彦涛 .

中国专利 :CN120076357A ,2025-05-30

[10]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN108807554B ,2018-11-13

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