垂直型肖特基二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710050359.3

申请日：

2017-01-23

公开(公告)号：

CN106935661B

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

冯倩徐通韩根全方立伟李翔邢翔宇张进成郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	授权	授权
2017-07-07	公开	公开
2017-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738379560 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2017100503593 申请日:20170123

共 50 条

[1]

高击穿电压氧化镓肖特基二极管及其制作方法 [P].

冯倩 ;

李翔 ;

韩根全 ;

黄璐 ;

方立伟 ;

邢翔宇 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106876484B ,2017-06-20

[2]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

柳志亨 .

中国专利 :CN102315281B ,2012-01-11

[3]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037354A ,2018-12-18

[4]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104154A ,2017-08-29

[5]

一种肖特基二极管及其制作方法 [P].

张乃千 ;

赵树峰 ;

陈洪维 .

中国专利 :CN104882491B ,2015-09-02

[6]

基于顺电介质的肖特基二极管及其制作方法 [P].

冯倩 ;

徐周蕊 ;

马红叶 ;

胡志国 ;

于明扬 ;

张雅超 ;

胡壮壮 ;

封兆青 ;

蔡云匆 .

中国专利 :CN112038417B ,2020-12-04

[7]

SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

李博 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘焕明 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102376779A ,2012-03-14

[8]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109065605A ,2018-12-21

[9]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘彦涛 .

中国专利 :CN120076357A ,2025-05-30

[10]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN108807554B ,2018-11-13

← 1 2 3 4 5 →