一种肖特基二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510075753.3

申请日：

2015-02-12

公开(公告)号：

CN104882491B

公开(公告)日：

2015-09-02

发明(设计)人：

张乃千赵树峰陈洪维

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L29417 H01L2128 H01L21329

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

路凯;胡彬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-02	公开	公开
2018-05-15	授权	授权
2015-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627833525 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2015100757533 申请日:20150212

共 50 条

[1]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

柳志亨 .

中国专利 :CN102315281B ,2012-01-11

[2]

一种肖特基二极管及其制作方法 [P].

陈洪维 .

中国专利 :CN104465795B ,2015-03-25

[3]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

张怡 .

中国专利 :CN103839801A ,2014-06-04

[4]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107104154A ,2017-08-29

[5]

垂直型肖特基二极管及其制作方法 [P].

冯倩 ;

徐通 ;

韩根全 ;

方立伟 ;

李翔 ;

邢翔宇 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106935661B ,2017-07-07

[6]

一种肖特基二极管及其制造方法 [P].

陈洪维 ;

邓光敏 ;

刘飞航 .

中国专利 :CN104134704A ,2014-11-05

[7]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

郭广兴 ;

刘宪成 ;

梁厅 ;

丁伯继 .

中国专利 :CN103594524A ,2014-02-19

[8]

肖特基二极管及制作方法 [P].

陈凌辉 ;

布兰卡·艾斯特拉·克鲁斯 ;

马克·杜斯金 ;

约翰·D·莫兰 .

中国专利 :CN1841677A ,2006-10-04

[9]

SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

李博 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘焕明 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102376779A ,2012-03-14

[10]

一种肖特基二极管及其制造方法 [P].

郑大伟 ;

陆磊 ;

张盛东 ;

王云萍 ;

严建花 ;

蔡泽宇 .

中国专利 :CN115295632B ,2025-11-04

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