功率半导体器件的组合封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520085189.9

申请日：

2015-02-06

公开(公告)号：

CN204391107U

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

张志平

申请人：

申请人地址：

441000 湖北省襄樊市高新区追日路9号汉北工业园

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2331 H01L2329 H01L23367

代理机构：

襄阳嘉琛知识产权事务所 42217

代理人：

樊灵芬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-10	授权	授权
2019-01-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20150206 授权公告日:20150610 终止日期:20180206

共 50 条

[1]

功率半导体器件的封装结构 [P].

江琛琛 .

中国专利 :CN210142649U ,2020-03-13

[2]

功率半导体器件的封装体 [P].

李平 ;

马荣耀 ;

王代利 ;

邵志峰 ;

潘效飞 .

中国专利 :CN221668814U ,2024-09-06

[3]

功率半导体器件封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN218482234U ,2023-02-14

[4]

功率半导体器件封装结构 [P].

黄杭 ;

王赵云 .

中国专利 :CN222126513U ,2024-12-06

[5]

功率半导体器件的封装体 [P].

李平 ;

马荣耀 ;

王代利 ;

邵志峰 ;

潘效飞 .

中国专利 :CN118398570A ,2024-07-26

[6]

功率半导体器件 [P].

陈超 ;

张海泉 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN215731694U ,2022-02-01

[7]

功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件 [P].

郝炜 ;

唐新灵 ;

魏晓光 ;

于克凡 ;

石浩 ;

代安琪 ;

林仲康 ;

田延忠 .

中国专利 :CN119920772A ,2025-05-02

[8]

功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件 [P].

郝炜 ;

唐新灵 ;

魏晓光 ;

于克凡 ;

石浩 ;

代安琪 ;

林仲康 ;

田延忠 .

中国专利 :CN119920772B ,2025-06-03

[9]

一种功率半导体器件的封装结构 [P].

朱克干 ;

吴德皇 ;

宋淑伟 .

中国专利 :CN201946588U ,2011-08-24

[10]

一种功率半导体器件的封装结构 [P].

沈良金 .

中国专利 :CN218333767U ,2023-01-17

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