存储单元装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN00812491.4
申请日
2000-07-05
公开(公告)号
CN1329998C
公开(公告)日
2002-10-02
发明(设计)人
T·P·哈尼德 H·巴奇霍弗
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01L2951
IPC分类号
H01L2978 H01L2712 H01L27115 H01L2710
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
郑立柱;张志醒
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
存储单元,存储单元装置和制造方法 [P]. 
H·帕尔姆 ;
J·威尔默 ;
A·格拉茨 ;
J·克里滋 ;
M·雷赫里奇 .
中国专利 :CN1446378A ,2003-10-01
[2]
存储单元、存储体阵列与制作存储单元的方法 [P]. 
龙翔澜 ;
陈逸舟 .
中国专利 :CN100438116C ,2006-01-18
[3]
存储单元 [P]. 
巴里·H·哈里森 ;
西马·迪米特里耶夫 .
中国专利 :CN100452235C ,2005-11-09
[4]
存储单元 [P]. 
叶晓 ;
金凤吉 .
中国专利 :CN107316657A ,2017-11-03
[5]
存储单元 [P]. 
T·蒙克肯尼斯 .
中国专利 :CN101939837A ,2011-01-05
[6]
DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P]. 
申靖浩 ;
李俊杰 ;
周娜 ;
殷华湘 .
中国专利 :CN111883531A ,2020-11-03
[7]
存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法 [P]. 
L·黑内克 ;
M·波普 .
中国专利 :CN101140935A ,2008-03-12
[8]
晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法 [P]. 
M·波普 ;
T·舒斯特 ;
J·福尔 ;
J·韩恩 .
中国专利 :CN1983638A ,2007-06-20
[9]
存储单元装置 [P]. 
T·施勒泽尔 ;
W·克劳特施奈德 ;
F·霍夫曼 ;
T·P·哈尼德 .
中国专利 :CN1328700A ,2001-12-26
[10]
磁存储单元 [P]. 
邓宁 ;
陈培毅 ;
曲秉郡 ;
张磊 ;
张树超 ;
董浩 ;
任敏 .
中国专利 :CN101777569A ,2010-07-14