存储单元装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN00812491.4
申请日
2000-07-05
公开(公告)号
CN1329998C
公开(公告)日
2002-10-02
发明(设计)人
T·P·哈尼德 H·巴奇霍弗
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01L2951
IPC分类号
H01L2978 H01L2712 H01L27115 H01L2710
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
郑立柱;张志醒
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[31]
MTP存储单元 [P]. 
仲志华 .
中国专利 :CN103794246A ,2014-05-14
[32]
FRAM存储单元 [P]. 
H·高斯纳 ;
I·艾瑟勒 ;
F·维特曼 ;
V·拉姆高帕尔劳 .
中国专利 :CN1197532A ,1998-10-28
[33]
存储单元阵列 [P]. 
T·施勒泽尔 .
中国专利 :CN1815718A ,2006-08-09
[34]
MRAM存储单元 [P]. 
H·赫尼施米德 .
中国专利 :CN1207719C ,2002-02-06
[35]
一种存储单元的制造方法、存储单元及存储器 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107275286B ,2017-10-20
[36]
存储单元结构 [P]. 
卢超群 .
中国专利 :CN119497379A ,2025-02-21
[37]
SRAM存储单元 [P]. 
蒋建伟 .
中国专利 :CN111415691A ,2020-07-14
[38]
存储单元结构 [P]. 
卢超群 .
中国专利 :CN113764418A ,2021-12-07
[39]
存储单元电路 [P]. 
近藤哲二郎 ;
市川勉 ;
野出泰史 .
中国专利 :CN101127236B ,2008-02-20
[40]
存储单元隔离 [P]. 
F·A·佩尔纳 .
中国专利 :CN1459859A ,2003-12-03