薄半导体封装及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010213923.7

申请日：

2010-06-23

公开(公告)号：

CN102299083B

公开(公告)日：

2011-12-28

发明(设计)人：

苏叶清白志刚陈伟民沈伟王建洪尹保冠于万铭

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L2150

IPC分类号：

H01L2156 H01L2160

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

陈华成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-28	公开	公开
2013-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101481527280 IPC(主分类):H01L 21/50 专利申请号:2010102139237 申请日:20100623
2017-11-28	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/50 变更事项:专利权人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯
2015-11-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体封装及其制造方法 [P].

冨田道和 ;

末益龙夫 ;

平船沙亚卡 .

中国专利 :CN1716579A ,2006-01-04

[2]

半导体封装及其制造方法 [P].

薛彦迅 .

加拿大专利 :CN112151462B ,2024-06-07

[3]

半导体封装及其制造方法 [P].

薛彦迅 .

中国专利 :CN112151462A ,2020-12-29

[4]

半导体封装衬底及其制造方法、半导体封装及其制造方法 [P].

裵仁燮 ;

姜圣日 ;

尹东陈 .

中国专利 :CN110189999A ,2019-08-30

[5]

具有薄衬底的半导体封装及其制造方法 [P].

鲁军 ;

王隆庆 ;

马督儿·博德 ;

陈波 ;

周曙华 .

中国专利 :CN114695301A ,2022-07-01

[6]

功率半导体封装及其制造方法 [P].

M·贝姆 ;

S·韦策尔 ;

A·格拉斯曼 ;

B·施默尔泽 ;

U·申德勒 .

:CN118016625A ,2024-05-10

[7]

半导体封装模块及其制造方法 [P].

巫培农 ;

李昀聪 ;

沈里正 .

中国专利 :CN115483194A ,2022-12-16

[8]

半导体封装、半导体封装堆叠及其制造方法 [P].

施信益 .

中国专利 :CN111524878A ,2020-08-11

[9]

半导体封装和制造半导体封装的方法 [P].

T·比尔 ;

D·霍尔兹 ;

R·奥特姆巴 ;

K·希斯 .

中国专利 :CN114284228A ,2022-04-05

[10]

半导体封装衬底、其制造方法、半导体封装及其制造方法 [P].

金沅彬 ;

姜圣日 ;

裵仁燮 ;

尹东陈 .

中国专利 :CN115050717A ,2022-09-13

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