半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN200310102725.3
申请日
2003-10-23
公开(公告)号
CN1518115A
公开(公告)日
2004-08-04
发明(设计)人
一法师隆志
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2712
IPC分类号
H01L29786
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
刘宗杰;叶恺东
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
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