一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410494268.5

申请日：

2014-09-24

公开(公告)号：

CN104253184A

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

田海军韩蕊蕊马淑芳

申请人：

申请人地址：

041600 山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3302

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

董芙蓉

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754612871 IPC(主分类):H01L 33/10 专利申请号:2014104942685 申请公布日:20141231
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596397231 IPC(主分类):H01L 33/10 专利申请号:2014104942685 申请日:20140924
2014-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构 [P].

韩蕊蕊 ;

田海军 ;

马淑芳 .

中国专利 :CN204102924U ,2015-01-14

[2]

一种带电流扩展层的蓝光LED外延结构 [P].

张晓龙 ;

徐晓丽 ;

胥真奇 ;

赖志豪 ;

曾颀尧 ;

林政志 .

中国专利 :CN106299061A ,2017-01-04

[3]

一种N-GaN层蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

俞登永 ;

郑建钦 ;

曾欣尧 ;

童敬文 ;

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN105304776A ,2016-02-03

[4]

具有非对称垒层的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

曾颀尧 ;

赖志豪 ;

郭廷瑞 ;

黄绣云 ;

黄信智 ;

张志刚 ;

吴东海 ;

童敬文 ;

林政志 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN203445142U ,2014-02-19

[5]

一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

曾颀尧 ;

赖志豪 ;

郭廷瑞 ;

黄绣云 ;

黄信智 ;

张志刚 ;

吴东海 ;

童敬文 ;

林政志 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN104253182A ,2014-12-31

[6]

一种具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

余登永 ;

郑建钦 ;

曾欣尧 ;

童敬文 ;

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN105304780A ,2016-02-03

[7]

一种在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

吴真龙 ;

曾颀尧 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN106711303A ,2017-05-24

[8]

具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

余登永 ;

郑建钦 ;

曾欣尧 ;

童敬文 ;

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN204045617U ,2014-12-24

[9]

一种可提高抗静电能力的蓝光LED外延结构 [P].

李庆彬 ;

林政志 ;

曾颀尧 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN106299049A ,2017-01-04

[10]

一种带复合缓冲层的LED外延结构 [P].

张荣荣 ;

李鹏飞 ;

林政志 ;

曾颀尧 ;

郑建钦 ;

田宇 ;

徐晶 ;

王朋乔 ;

韦春余 .

中国专利 :CN106328782A ,2017-01-11

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