一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420552553.3

申请日：

2014-09-24

公开(公告)号：

CN204102924U

公开(公告)日：

2015-01-14

发明(设计)人：

韩蕊蕊田海军马淑芳

申请人：

申请人地址：

041600 山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3302

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

董芙蓉

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构 [P].

田海军 ;

韩蕊蕊 ;

马淑芳 .

中国专利 :CN104253184A ,2014-12-31

[2]

具有非对称垒层的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

曾颀尧 ;

赖志豪 ;

郭廷瑞 ;

黄绣云 ;

黄信智 ;

张志刚 ;

吴东海 ;

童敬文 ;

林政志 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN203445142U ,2014-02-19

[3]

一种带电流扩展层的蓝光LED外延结构 [P].

张晓龙 ;

徐晓丽 ;

胥真奇 ;

赖志豪 ;

曾颀尧 ;

林政志 .

中国专利 :CN106299061A ,2017-01-04

[4]

一种N-GaN层蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

俞登永 ;

郑建钦 ;

曾欣尧 ;

童敬文 ;

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN105304776A ,2016-02-03

[5]

一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

曾颀尧 ;

赖志豪 ;

郭廷瑞 ;

黄绣云 ;

黄信智 ;

张志刚 ;

吴东海 ;

童敬文 ;

林政志 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN104253182A ,2014-12-31

[6]

具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

余登永 ;

郑建钦 ;

曾欣尧 ;

童敬文 ;

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN204045617U ,2014-12-24

[7]

在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

吴真龙 ;

曾颀尧 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN204809249U ,2015-11-25

[8]

一种具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

余登永 ;

郑建钦 ;

曾欣尧 ;

童敬文 ;

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN105304780A ,2016-02-03

[9]

一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

周强 ;

孙颖 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

王妹芳 ;

盛况 .

中国专利 :CN207818601U ,2018-09-04

[10]

一种在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

吴真龙 ;

曾颀尧 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN106711303A ,2017-05-24

← 1 2 3 4 5 →