一种在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510445284.X

申请日：

2015-07-27

公开(公告)号：

CN106711303A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

田宇郑建钦吴真龙曾颀尧李鹏飞

申请人：

申请人地址：

226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3312 H01L3310

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/32 申请公布日:20170524
2017-05-24	公开	公开
2017-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101746366481 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:201510445284X 申请日:20150727

共 50 条

[1]

在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

吴真龙 ;

曾颀尧 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN204809249U ,2015-11-25

[2]

一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底 [P].

徐云 ;

苏大鸿 .

中国专利 :CN113823551A ,2021-12-21

[3]

一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底 [P].

徐云 ;

苏大鸿 .

中国专利 :CN113823551B ,2024-10-18

[4]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[5]

一种在GaAs衬底上生长GaInNAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN104241409A ,2014-12-24

[6]

一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法 [P].

程文涛 ;

王健 ;

孙强 ;

张嵩 ;

张超 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN113363338A ,2021-09-07

[7]

在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102534769B ,2012-07-04

[8]

一种带电流扩展层的蓝光LED外延结构 [P].

张晓龙 ;

徐晓丽 ;

胥真奇 ;

赖志豪 ;

曾颀尧 ;

林政志 .

中国专利 :CN106299061A ,2017-01-04

[9]

生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN203085627U ,2013-07-24

[10]

一种N-GaN层蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

俞登永 ;

郑建钦 ;

曾欣尧 ;

童敬文 ;

吴东海 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN105304776A ,2016-02-03

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