一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110611917.5

申请日：

2021-06-02

公开(公告)号：

CN113363338A

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

程文涛王健孙强张嵩张超董增印李贺

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

H01L310304

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 31/0304 登记生效日:20210903 变更事项:申请人变更前权利人:中国电子科技集团公司第四十六研究所变更后权利人:中国电子科技集团公司第四十六研究所变更事项:地址变更前权利人:300220 天津市河西区洞庭路26号变更后权利人:300220 天津市河西区洞庭路26号变更事项:申请人变更后权利人:中国电子科技集团公司第十八研究所
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20210602
2021-09-07	公开	公开
2023-02-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请公布日:20210907

共 50 条

[1]

一种在GaAs衬底上生长GaInNAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN104241409A ,2014-12-24

[2]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[3]

一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN203826398U ,2014-09-10

[4]

生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

吴平平 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN203288608U ,2013-11-13

[5]

一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

李景灵 .

中国专利 :CN204834639U ,2015-12-02

[6]

一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN103943700A ,2014-07-23

[7]

一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底 [P].

徐云 ;

苏大鸿 .

中国专利 :CN113823551A ,2021-12-21

[8]

一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底 [P].

徐云 ;

苏大鸿 .

中国专利 :CN113823551B ,2024-10-18

[9]

生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

王凯诚 .

中国专利 :CN206116416U ,2017-04-19

[10]

在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 ;

李国强 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109767972A ,2019-05-17

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