一种在GaAs衬底上生长GaInNAs薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410421893.7

申请日：

2014-08-25

公开(公告)号：

CN104241409A

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

李国强李景灵高芳亮温雷张曙光

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L310248

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595663145 IPC(主分类):H01L 31/0248 专利申请号:2014104218937 申请日:20140825
2017-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101755817679 IPC(主分类):H01L 31/0248 专利申请号:2014104218937 申请公布日:20141224
2014-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[2]

一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法 [P].

程文涛 ;

王健 ;

孙强 ;

张嵩 ;

张超 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN113363338A ,2021-09-07

[3]

一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN203826398U ,2014-09-10

[4]

一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

李景灵 .

中国专利 :CN105023962A ,2015-11-04

[5]

一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

李景灵 .

中国专利 :CN204834639U ,2015-12-02

[6]

一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN103943700A ,2014-07-23

[7]

生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

吴平平 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN203288608U ,2013-11-13

[8]

一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底 [P].

徐云 ;

苏大鸿 .

中国专利 :CN113823551A ,2021-12-21

[9]

一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底 [P].

徐云 ;

苏大鸿 .

中国专利 :CN113823551B ,2024-10-18

[10]

生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

王凯诚 .

中国专利 :CN206116416U ,2017-04-19

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