一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010570826.7

申请日：

2020-06-19

公开(公告)号：

CN113823551A

公开(公告)日：

2021-12-21

发明(设计)人：

徐云苏大鸿

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周天宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	公开	公开
2022-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200619

共 50 条

[1]

一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底 [P].

徐云 ;

苏大鸿 .

中国专利 :CN113823551B ,2024-10-18

[2]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[3]

在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

吴真龙 ;

曾颀尧 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN204809249U ,2015-11-25

[4]

一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 [P].

郭晓璐 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN103233271A ,2013-08-07

[5]

一种采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb的方法 [P].

刘国军 ;

徐东昕 ;

李再金 ;

陈浩 ;

赵志斌 ;

曾丽娜 ;

乔忠良 ;

李林 ;

曲轶 .

中国专利 :CN114038732A ,2022-02-11

[6]

一种在GaAs衬底上生长的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

吴真龙 ;

曾颀尧 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN106711303A ,2017-05-24

[7]

在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 ;

李国强 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109767972A ,2019-05-17

[8]

一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法 [P].

程文涛 ;

王健 ;

孙强 ;

张嵩 ;

张超 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN113363338A ,2021-09-07

[9]

一种在GaAs衬底上生长GaInNAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN104241409A ,2014-12-24

[10]

在GaAs单晶衬底上制备CdZnTe外延膜的方法 [P].

查钢强 ;

蔺云 ;

高俊宁 ;

汤三奇 ;

张昊 ;

李嘉伟 ;

介万奇 .

中国专利 :CN104153001A ,2014-11-19

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