半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710952758.9

申请日：

2017-10-13

公开(公告)号：

CN109671673A

公开(公告)日：

2019-04-23

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L2128 H01L27088 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高磊;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-23	公开	公开
2019-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20171013
2021-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

王智东 ;

张冬平 .

中国专利 :CN110164760A ,2019-08-23

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102104070B ,2011-06-22

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109087887B ,2018-12-25

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈世杰 ;

王文武 ;

王晓磊 ;

韩锴 .

中国专利 :CN102237398A ,2011-11-09

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 .

中国专利 :CN114664915B ,2025-12-05

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108987248A ,2018-12-11

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 .

中国专利 :CN114664915A ,2022-06-24

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109980004A ,2019-07-05

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109285879A ,2019-01-29

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108573868A ,2018-09-25

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