半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711446096.4

申请日：

2017-12-27

公开(公告)号：

CN109980004A

公开(公告)日：

2019-07-05

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21762 H01L2176 H01L2174 H01L2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高磊;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	授权	授权
2019-07-05	公开	公开
2019-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171227

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109671673A ,2019-04-23

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111293118A ,2020-06-16

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN112635402B ,2024-08-30

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵琼洋 ;

王安妮 .

中国专利 :CN114141604A ,2022-03-04

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN108807158A ,2018-11-13

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112309845A ,2021-02-02

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

徐建华 ;

王安妮 ;

何* ;

杨小军 .

中国专利 :CN108155235A ,2018-06-12

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

田震 ;

董耀旗 ;

黄达 .

中国专利 :CN115117057A ,2022-09-27

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

张丽杰 .

中国专利 :CN109037306A ,2018-12-18

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN119562560A ,2025-03-04

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