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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010153756.1
申请日：
2010-04-20
公开(公告)号：
CN102237398A
公开(公告)日：
2011-11-09
发明(设计)人：
陈世杰
王文武
王晓磊
韩锴
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L2949
IPC分类号：
H01L2128
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
张磊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2011-11-09 | 公开 | 公开 |
| 2011-12-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101158510121 IPC(主分类):H01L 29/49 专利申请号:2010101537561 申请日:20100420 |
| 2013-09-04 | 授权 | 授权 |