第三代半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110776044.3

申请日：

2021-07-08

公开(公告)号：

CN113690295A

公开(公告)日：

2021-11-23

发明(设计)人：

陈正培徐文凯

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市光明区光明街道碧眼社区华强创意产业园4栋B座1006

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L29207 H01L29778 H01L2331 H01L2329 H01L21335 C23C1640 C23C1634 C23C1630 C23C1624

代理机构：

深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553

代理人：

郑一帆;田宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

第三代半导体的制造方法 [P].

陈正培 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN113690136A ,2021-11-23

[2]

第三代半导体供应链管理系统 [P].

唐山河 ;

黄正凯 .

中国专利 :CN113673835A ,2021-11-19

[3]

第三代半导体的清洗方法 [P].

林大野 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN111696852A ,2020-09-22

[4]

第三代半导体的刻蚀装置 [P].

林大野 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN212113622U ,2020-12-08

[5]

第三代半导体光罩作业方法 [P].

唐山河 ;

黄正凯 .

中国专利 :CN113673840A ,2021-11-19

[6]

第三代半导体光罩作业方法 [P].

唐山河 ;

黄正凯 .

中国专利 :CN113673840B ,2025-04-11

[7]

第三代半导体结构及其制造方法 [P].

陈正培 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN113675259A ,2021-11-19

[8]

第三代半导体接触窗结构及其制造方法 [P].

陈正培 ;

徐文凯 ;

柴佳欣 .

中国专利 :CN114551340A ,2022-05-27

[9]

第三代半导体接触窗结构及其制造方法 [P].

陈正培 ;

徐文凯 ;

柴佳欣 .

中国专利 :CN114551340B ,2025-06-13

[10]

第三代半导体的刻蚀方法和装置 [P].

林大野 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN111668096A ,2020-09-15

← 1 2 3 4 5 →

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210708
2021-11-23	公开	公开