第三代半导体的刻蚀装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021172297.7

申请日：

2020-06-22

公开(公告)号：

CN212113622U

公开(公告)日：

2020-12-08

发明(设计)人：

林大野徐文凯

申请人：

申请人地址：

广东省深圳市罗湖区笋岗东路嘉宝田花园鸿福阁10C

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287

代理人：

张婷

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/306 登记生效日:20210927 变更事项:专利权人变更前权利人:徐文凯变更后权利人:深圳镓芯半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:广东省深圳市罗湖区笋岗东路嘉宝田花园鸿福阁10C 变更后权利人:广东省深圳市光明区光明街道碧眼社区华强创意产业园4栋B座1006
2020-12-08	授权	授权

共 50 条

[1]

第三代半导体的刻蚀方法和装置 [P].

林大野 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN111668096A ,2020-09-15

[2]

第三代半导体 [P].

陈正培 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN113690295A ,2021-11-23

[3]

第三代半导体的清洗方法 [P].

林大野 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN111696852A ,2020-09-22

[4]

第三代半导体的制造方法 [P].

陈正培 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN113690136A ,2021-11-23

[5]

第三代半导体光罩作业方法 [P].

唐山河 ;

黄正凯 .

中国专利 :CN113673840A ,2021-11-19

[6]

第三代半导体光罩作业方法 [P].

唐山河 ;

黄正凯 .

中国专利 :CN113673840B ,2025-04-11

[7]

第三代半导体结构及其制造方法 [P].

陈正培 ;

徐文凯 .

中国专利 :CN113675259A ,2021-11-19

[8]

一种新型第三代半导体检测装置 [P].

郭志辉 ;

张科 ;

张天懿 ;

许杰 ;

杜航 ;

张昆 .

中国专利 :CN216052040U ,2022-03-15

[9]

第三代半导体供应链管理系统 [P].

唐山河 ;

黄正凯 .

中国专利 :CN113673835A ,2021-11-19

[10]

一种第三代半导体发光元件 [P].

邓和清 ;

郑锦坚 ;

李水清 ;

寻飞林 ;

蔡鑫 ;

刘紫涵 ;

李晓琴 ;

蓝家彬 .

中国专利 :CN118782702A ,2024-10-15

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